| 发明名称 | 利用应力记忆技术提高NFET窄沟道效应的方法 | ||
| 摘要 | 一种利用应力记忆技术提高NFET窄沟道效应(Narrow Width Effect)的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成包括NFET结构的半导体器件；在所述半导体器件上淀积形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上淀积形成应力层；对形成有所述刻蚀停止层和应力层的半导体器件进行时效处理；刻蚀去除应力层；进行高温退火步骤，以激活所述半导体器件的源、漏区掺杂；去除刻蚀停止层。本发明在包括NFET结构的半导体器件上形成应力层后，对应力层进行时效处理，然后在高温退火过程之前去除所述应力层，从而防止在高温退火过程中，应力层对NFET中窄沟道区域的过强的应力作用，从而改进NFET窄沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102468160A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010530835.X | 申请日期 | 2010.11.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 林仰魁;谢欣云;张步新;陈志豪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种利用应力记忆技术提高NFET窄沟道效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成包括NFET结构的半导体器件；在所述半导体器件上淀积形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上淀积形成应力层；对形成有所述刻蚀停止层和应力层的半导体器件进行时效处理；刻蚀去除应力层；进行高温退火步骤，以激活所述半导体器件的源、漏区掺杂；去除刻蚀停止层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||