| 发明名称 | 包括熔丝阵列的半导体器件和操作其的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。 | ||
| 申请公布号 | CN102467971A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110361944.8 | 申请日期 | 2011.11.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 孙钟弼;张星珍;文炳植;朴周燮 |
| 分类号 | G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：包括多个行和列的熔丝阵列；第一寄存器单元，从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据，其中该熔丝数据的至少一行的熔丝数据是通过第一寄存器单元并行接收的；以及第二寄存器单元，从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||