发明名称 用于半导体N/P型致冷晶片表面电镀前处理的粗化液及相关的电镀前处理工艺
摘要 本发明涉及一种用于半导体N/P型致冷晶片表面电镀前处理的粗化液,包括溶液A,溶液A包括5~20%(体积)氢氟酸、20~40%(体积)硝酸和0.5~5g/L的十二烷基磺酸钠、余量为水;较佳地,还包括溶液B,溶液B包括10~50g/L的溴酸钾和2~10%(体积)硝酸,余量为水,还提供了采用上述粗化液对半导体N/P型致冷晶片表面进行电镀前处理工艺,将经脱脂后的半导体N/P型致冷晶片浸入溶液A进行刻蚀粗化,然后浸入溶液B进行除灰处理,本发明的电镀前处理工艺能增加基材与镍层的结合力,提高致冷晶片的致冷温差和性能,且不会导致晶片的破裂,降低了生产成本,提高了产品合格率,及生产效率。
申请公布号 CN101701348B 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN200910053901.6 申请日期 2009.06.26
申请人 上海申和热磁电子有限公司 发明人 陈良杰
分类号 C25D7/12(2006.01)I;C25D5/54(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I 主分类号 C25D7/12(2006.01)I
代理机构 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人 缪利明
主权项 一种用于半导体N/P型致冷晶片表面电镀前处理的粗化液,其特征在于,所述的粗化液组成为用于对所述半导体N/P型致冷晶片进行刻蚀粗化的溶液A,所述溶液A包括5~20%(体积)氢氟酸、20~40%(体积)硝酸和0.5~5g/L的十二烷基苯磺酸钠,余量为水。
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