掩模图形校正方法以及掩模版制作方法

摘要

一种掩模图形校正方法以及掩模版制作方法，其中所述掩模图形校正方法包括：对待校正图形进行光学邻近校正，获得校正图形；根据所述校正图形，获得与其对应的工艺窗口；将所述工艺窗口与设定值进行比较；当所述工艺窗口小于所述设定值时，对所述初始校正图形重复上述校正，直至当所述工艺窗口大于或者等于所述设定值时，校正完成。本发明避免了将所有图案进行目标重置后再对每个图案进行光学邻近校正，简化了掩模图形的校正，节省了人力和时间，大大减少了校正时间，提高了生产效率。

主权项

一种掩模图形校正方法，包括：步骤S1，对待校正图形进行光学邻近校正，获得校正图形；步骤S2，根据所述校正图形，获得与其对应的工艺窗口；步骤S3，比较所述工艺窗口与设定值；当所述工艺窗口小于所述设定值时，对所述校正图形重复上述步骤S1至步骤S3的校正，直至当所述工艺窗口大于或者等于所述设定值时，校正完成；所述步骤S1包括：获得光学曝光模型；采用所述光学曝光模型，对所述待校正图形进行模拟曝光，以获得对应的模拟曝光图形；比较所述待校正图形以及其对应的模拟曝光图形，并根据比较结果，对所述待校正图形进行单次光学邻近校正，所述进行单次光学邻近校正是指采用光学邻近校正方法，对所述待校正图形中的所有图案进行一次校正。