| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上具有介质层；在所述介质层上形成厌水层；在所述厌水层上形成光掩膜层；对所述光掩膜层进行光刻，形成光掩膜图形；对被所述光掩膜图形保护下的所述介质层进行刻蚀。一种半导体结构，包括：半导体基底；位于所述介质层上的厌水层；位于所述厌水层上的光掩膜层。本发明减少了刻蚀后的介质层残余。 | ||
| 申请公布号 | CN102044414B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200910197084.1 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;孙武 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上具有介质层，所述介质层包括亲水性材料；在所述介质层上形成厌水层，用于阻止显影液中的水分进入所述亲水性材料中；在所述厌水层上形成光掩膜层；对所述光掩膜层进行光刻，形成光掩膜图形；对被所述光掩膜图形保护下的所述介质层进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||