| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：半导体基底，在半导体基底中形成有多深度沟槽，多深度沟槽包括浅沟槽和布置在浅沟槽下方的深沟槽；第一介电材料，形成在多深度沟槽的局部区域中，第一介电材料包括在浅沟槽中的从浅沟槽的底部平面和深沟槽的侧壁相交所处的角落向上延伸的斜面，所述斜面相对于浅沟槽的底部平面倾斜；第二介电材料，形成在多深度沟槽中的不存在第一介电材料的区域中。 | ||
| 申请公布号 | CN102468216A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110272295.4 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 元龙植;李相彧 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;刘奕晴 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体基底，在半导体基底中形成有多深度沟槽，多深度沟槽包括浅沟槽和布置在浅沟槽下方的深沟槽；第一介电材料，形成在多深度沟槽的局部区域中，第一介电材料包括在浅沟槽中的从浅沟槽的底部平面和深沟槽的侧壁相交所处的角落向上延伸的斜面，所述斜面相对于浅沟槽的底部平面倾斜；第二介电材料，形成在多深度沟槽中的不存在第一介电材料的区域中。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||