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发明名称
形成一具有隔离区域之半导体装置之方法
摘要
一种形成一具有隔离结构之半导体装置(10)且可减少漏电流之方法。一通道隔离结构(32、30、34),其经由一通道结构减少漏电流。此外,电流电极介电绝缘结构(36)系于流电极区域下形成,以防止在该等电流电极(40)之间之漏电。
申请公布号
TWI364813
申请公布日期
2012.05.21
申请号
TW093128719
申请日期
2004.09.22
申请人
飞思卡尔半导体公司 美国
发明人
玛里雅斯K 欧罗斯基;亚历山大L 巴尔
分类号
H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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