发明名称 形成一具有隔离区域之半导体装置之方法
摘要 一种形成一具有隔离结构之半导体装置(10)且可减少漏电流之方法。一通道隔离结构(32、30、34),其经由一通道结构减少漏电流。此外,电流电极介电绝缘结构(36)系于流电极区域下形成,以防止在该等电流电极(40)之间之漏电。
申请公布号 TWI364813 申请公布日期 2012.05.21
申请号 TW093128719 申请日期 2004.09.22
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 玛里雅斯K 欧罗斯基;亚历山大L 巴尔
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国