| 摘要 |
本发明之一个实施例系关于记忆胞(memory cell)(100)。该记忆胞(100)包括基板(103)和设置于该基板(103)上之堆叠之闸极结构(102)，其中，该堆叠之闸极结构(102)包括调适以储存至少一个位元资料之电荷捕获介电层(charge trapping dielectric layer)(106)。该记忆胞(100)复包括位于该基板(103)中之源极(105)和汲极(107)，其中，该源极(105)和汲极(107)设置于该堆叠之闸极结构(102)之相对侧。阻障区(barrier region)(109)实质上设置于该源极(105)或该汲极(107)之下方，并包括惰性物种(inert species)。本发明亦揭示了其他的实施例。 |
