| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光器件，包括：半导体光发射层叠体，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和位于第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；以及高导电性透明电极，其形成在第一和第二导电半导体层中的至少一个上，并且包括由透明导电氧化物层和透明导电氮化物层中的至少一个形成的透明电极层以及允许可见光谱内的光透过的石墨烯层，透明电极层和石墨烯层是层叠的。 | ||
| 申请公布号 | CN102456797A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110355087.0 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 三星LED株式会社 | 发明人 | 沈炫旭;李东柱;金晟泰 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：半导体光发射层叠体，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和位于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；以及高导电性透明电极，其形成在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的至少一个上，并且包括由透明导电氧化物层和透明导电氮化物层中的至少一个形成的透明电极层和允许可见光谱内的光透过的石墨烯层，所述透明电极层和所述石墨烯层是层叠的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||