放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置

摘要

根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。

主权项

一种放射线检测器，具备将放射线变换为电荷信号的变换层，该放射线检测器的特征在于，上述变换层是Zn浓度为1mol％以上且5mol％以下而Cl浓度为1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl掺杂CdZnTe多晶化合物半导体层。