| 发明名称 | 锗硅监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锗硅监控片的制备方法，该锗硅监控片用于监控锗硅薄膜中的锗的含量，包括如下步骤：1)至少设计一组光栅图形；2)将步骤1)所述的光栅图形定义在衬底上，并刻蚀所述衬底形成具有台阶差的光栅图形；3)在所述衬底上淀积具有特定含量的锗硅薄膜，形成具光栅图形锗硅薄膜。采用本发明所制备的锗硅监控片，不同的Ge含量的锗硅薄膜具有不同的反射和衍射强度，因此可以直观的通过检测反射和衍射强度进行锗硅薄膜中Ge含量的监控。本发明还公开一种采用上述制备的锗硅监控片进行监控的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102456541A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010511414.2 | 申请日期 | 2010.10.19 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷;孟鸿林 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G01N21/25(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种锗硅监控片的制备方法，所述锗硅监控片用于监控所述锗硅薄膜中的锗的含量，其特征在于，包括如下步骤：1)至少设计一组光栅图形；2)将步骤1)所述的光栅图形定义在衬底上，并刻蚀所述衬底形成由多个规则排列的沟槽构成光栅图形；3)在所述衬底上淀积具有特定含量的锗硅薄膜，形成具光栅图形锗硅薄膜。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||