垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法

摘要

一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其包括导电基板及依次堆叠于该导电基板的一个表面的P型半导体层、半导体激发层及N型半导体层，导电基板与P型半导体层之间设置反射层，发光二极管芯片还包括光路转换层，该光路转换层位于该发光二极管芯片的电流扩散区域之外并通过间隙与半导体激发层隔开，半导体激发层侧向发出的光线经过反射层的反射后射入该光路转换层内，该光路转换层对光线进行会聚。与现有技术相比，本发明在保证不影响发光二极管芯片的电流扩散的情况下，充分利用在电流扩散区域之外的区域对半导体激发层发出的光线进行会聚，提升整个发光二极管芯片的出光效率。本发明还提供一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片的制造方法。

主权项

一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其包括导电基板及依次堆叠于该导电基板的一个表面的P型半导体层、半导体激发层及N型半导体层，其特征在于：所述导电基板与P型半导体层之间设置反射层，所述发光二极管芯片还包括光路转换层，该光路转换层位于该发光二极管芯片的电流扩散区域之外并通过间隙与半导体激发层隔开，半导体激发层侧向发出的光线经过反射层的反射后射入该光路转换层内，该光路转换层对光线进行会聚。