一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法

摘要

本发明公开了一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，在半导体器件的栅极及源极、漏极上沉积一层薄氧化物层，其中，包括以下步骤：在第一、第二半导体器件的薄氧化物层上沉积一层氮化硅薄膜层；在反应腔室内通入含氧气体进行处理，在高温环境下，所述含氧气体在所述氮化硅薄膜层的表面发生反应，去除氮化硅薄膜层表面游离的氮元素。在所述氮化硅薄膜层表面覆盖一层光刻胶，进行刻蚀。本发明利用含氧气体去除氮化硅薄膜中游离的氮元素，从而避免因此而造成的对后续光刻工艺中光阻失效现象的发生。

主权项

一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，在半导体器件的栅极及源极沉积一层薄氧化物层，其特征在于，包括以下步骤：在所述第一、第二半导体器件的薄氧化物层上沉积一层氮化硅薄膜层；在反应腔室内通入含氧气体进行处理，在高温环境下，所述含氧气体在所述氮化硅薄膜层的表面发生反应，去除所述氮化硅薄膜层表面游离的氮元素；在所述氮化硅薄膜层表面覆盖一层光刻胶，进行刻蚀。