| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种使电极焊盘正下方的区域为有效区域的半导体装置。本发明的半导体装置具有设置在半导体层上并且由硅化物膜构成的发射极电极（7）、形成在发射极电极（7）上的绝缘膜（10）、形成在绝缘膜（10）上并且由铝（Al）构成的电极焊盘（8）。 | ||
| 申请公布号 | CN102456632A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110198350.X | 申请日期 | 2011.07.15 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 鹿口直斗;浅野德久;佐藤克己 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：发射极电极，设置在半导体层上并且具有硅化物膜而构成；绝缘膜，形成在所述发射极电极的所述硅化物膜上；电极焊盘，形成在所述绝缘膜上并且由铝构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||