半导体器件中的应变控制

摘要

一种半导体器件包括以下元件：包括量子阱结构的有源层（1）和在有源层下面的适合于形成用于有源层中的载流子的约束层的缓冲层（4）。缓冲层（4）被适配为不增加有源层（1）中的总体应变。有源层（1）已经由于有源层与缓冲层（4）之间的晶格失配而发生应变。可以通过使用应变控制缓冲层（41）并通过用于缓冲层和在其上面生长缓冲层的基底（3）的材料和组分的适当选择来控制缓冲层（4）中的应变。

主权项

一种半导体器件，包括：有源层，其包括量子阱结构；应变控制缓冲层，其在有源层下面；主缓冲层，其在应变控制缓冲层下面且与之邻近；以及基底，其在主缓冲层下面；其中，应变控制缓冲层被形成为使得邻近于有源层的应变控制缓冲层的表面处的应变相对于邻近于应变控制有源层的主缓冲层中的应变而言被减少；以及其中，缓冲层形成用于有源层中的载流子的约束层。