| 发明名称 | 凸点下金属化层(UBM)结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。 | ||
| 申请公布号 | CN102456653A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110243071.0 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡宗甫;郭彦良;张志鸿 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；凸点下金属化层(UBM)结构，其覆盖在所述半导体衬底上；以及焊接凸点，其覆盖在所述UBM结构上并与所述UBM结构电连接；其中所述UBM结构包括含铜的金属化层、含镍的金属化层、以及在所述含铜的金属化层和所述含镍的金属化层之间的第一金属间化合物(IMC)层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||