| 发明名称 | 平面TEM样品制取方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种平面TEM样品制取方法，包括：提供一包含待观测层的晶圆截块；做标记于所述待观测层上；将一玻璃粘贴于所述待观测层上；同时研磨所述晶圆截块及玻璃；切割所述晶圆截块得到平面TEM样品。通过本发明提供的平面TEM样品制取方法得到的平面TEM样品，当通过吸取针吸取所述平面TEM样品时，即使发生吸取针使得平面TEM样品从晶圆上脱落，但吸取针又没有吸取到平面TEM样品的情况，也能很快找到脱落的平面TEM样品，而无需重新制取平面TEM样品，进而节省了制造时间，降低了制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102455259A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010510699.8 | 申请日期 | 2010.10.18 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 陈卉;谢火扬;胡杰 |
| 分类号 | G01N1/28(2006.01)I | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种平面TEM样品制取方法，包括：提供一包含待观测层的晶圆截块；做标记于所述待观测层上；将一玻璃粘贴于所述待观测层上；同时研磨所述晶圆截块及玻璃；切割所述晶圆截块得到平面TEM样品。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖技术开发区高新四路18号 | ||