具有改良载子移动性之垂直双闸极场效电晶体（ＦＩＮＦＥＴ）及其形成方法

摘要

一种垂直双闸极MOSFETs(FinFET)装置使用应变矽(strained silicon)来改良载子移动性。于一方法中，将FinFET基体(46)图案化形成一层矽锗(silicon germanium,SiGe)(42)覆盖于电介质层上(40)。接着形成矽磊晶层(34)于该矽锗FinFET基体(46)上。由于本质矽以及作为磊晶矽生长之模板的矽锗晶格尺寸不同，因而于磊晶矽中产生应变(strain)。应变矽比放松的矽(relaxed silicon)具有更高的载子移动性，因此磊晶应变矽于FinFET中提供较高的载子移动性。将应变矽通道层利用于FinFET中可实现较高的驱动电流。