Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Indiumoxidhaltiger Schichten, bei dem eine aus einem Gemisch enthaltend mindestens einen Indiumoxid-Precursor und mindestens ein Lösemittel bzw. Dispersionsmedium herstellbare Beschichtungszusammensetzung in der Reihenfolge der Punkte a) bis d) a) auf ein Substrat aufgebracht, b) die auf dem Substrat aufgebrachte Zusammensetzung mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, c) ggf. getrocknet und d) thermisch in eine Indiumoxid-haltige Schicht konvertiert wird, wobei der Indiumoxid-Precursor ein Indium-Halogen-Alkoxid der generischen Formel InX(OR)2 mit R = Alkylrest und/oder Alkoxyalkylrest und X = F, Cl, Br oder I ist und die Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung mit signifikanten Anteilen von Strahlung im Bereich von 170–210 nm und von 250–258 nm durchgeführt wird, die mit dem Verfahren herstellbaren Indiumoxid-haltigen Schichten und ihre Verwendung.