一种制作栅极的方法

摘要

本发明公开了一种制作栅极的方法：在半导体衬底，沉积栅氧化层和多晶硅层；依次沉积第一硬掩膜层和第二硬掩膜层后，涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行光刻，得到具有栅极图形的光刻胶层；以具有栅极图形的光刻胶层为掩膜，采用各向异性刻蚀第二硬掩膜层，得到具有栅极图形的第二硬掩膜层；以具有栅极图形的第二硬掩膜层为掩膜，采用各向同性刻蚀第一硬掩膜层，得到具有特征尺寸缩小的栅极图形的第一硬掩膜层，去除剩余的第二硬掩膜层；以具有特征尺寸缩小的栅极图形的第一硬掩膜层为掩膜，采用各向异性依次刻蚀多晶硅层和栅氧化层，得到栅极后，去除剩余的第一硬掩膜层。该方法可以缩小所制作的栅极特征尺寸。

主权项

一种制作栅极的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，依次沉积栅氧化层和多晶硅层；在多晶硅层上依次沉积第一硬掩膜层和第二硬掩膜层后，在第二硬掩膜层表面涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行光刻，得到具有栅极图形的光刻胶层；以具有栅极图形的光刻胶层为掩膜，采用各向异性刻蚀第二硬掩膜层，得到具有栅极图形的第二硬掩膜层；以具有栅极图形的第二硬掩膜层为掩膜，采用各向同性刻蚀第一硬掩膜层，得到具有特征尺寸缩小的栅极图形的第一硬掩膜层，去除剩余的第二硬掩膜层，所述特征尺寸缩小为比第二硬掩膜层具有的栅极图形的特征尺寸小；以具有特征尺寸缩小的栅极图形的第一硬掩膜层为掩膜，采用各向异性依次刻蚀多晶硅层和栅氧化层，得到栅极后，去除剩余的第一硬掩膜层。