发明名称 半导体器件的制造方法
摘要 本发明的目的是:在进行晶片的切割时,一边抑制刀片的孔眼堵塞,一边减小碎裂的尺寸。在切削晶片(34)时,使用包含粒度为#3000以上的磨粒、尖端部呈V字形的金属粘结刀片(31),使V字形的肩部分深入到晶片(34)的表面下侧(从基板表面起算的深度Z2)进行切削。通过如此加工,切削阻力上升,可防止刀片的孔眼堵塞。由此,可一边防止刀片的孔眼堵塞,一边将碎裂的尺寸抑制得很小。
申请公布号 CN101005021B 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN200610171145.3 申请日期 2006.12.25
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 和泉直生
分类号 H01L21/301(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B28D5/02(2006.01)I;B26D1/00(2006.01)I;B26D1/143(2006.01)I 主分类号 H01L21/301(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 浦柏明;刘宗杰
主权项 一种半导体器件的制造方法,利用刀片来切削基板,其特征在于,进行第1工序,其中使用磨粒的粒度为#3000以上、与行进方向垂直的剖面的尖端部平坦面的宽度为刀片宽度的40%以下的呈V字形的第1刀片,使上述V字形的肩部分比上述基板表面更深入内部侧,从而切削上述基板,上述第1工序是在上述基板的表面形成沟槽的半切割工序,在上述半切割工序后,进行使用第2刀片来切削上述沟槽的底面直至上述基板贯通的全切割工序,上述第2刀片的宽度小于上述第1刀片的宽度。
地址 日本神奈川县川崎市