发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的是:在进行晶片的切割时,一边抑制刀片的孔眼堵塞,一边减小碎裂的尺寸。在切削晶片(34)时,使用包含粒度为#3000以上的磨粒、尖端部呈V字形的金属粘结刀片(31),使V字形的肩部分深入到晶片(34)的表面下侧(从基板表面起算的深度Z2)进行切削。通过如此加工,切削阻力上升,可防止刀片的孔眼堵塞。由此,可一边防止刀片的孔眼堵塞,一边将碎裂的尺寸抑制得很小。 |
申请公布号 |
CN101005021B |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN200610171145.3 |
申请日期 |
2006.12.25 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
和泉直生 |
分类号 |
H01L21/301(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B28D5/02(2006.01)I;B26D1/00(2006.01)I;B26D1/143(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/301(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
浦柏明;刘宗杰 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,利用刀片来切削基板,其特征在于,进行第1工序,其中使用磨粒的粒度为#3000以上、与行进方向垂直的剖面的尖端部平坦面的宽度为刀片宽度的40%以下的呈V字形的第1刀片,使上述V字形的肩部分比上述基板表面更深入内部侧,从而切削上述基板,上述第1工序是在上述基板的表面形成沟槽的半切割工序,在上述半切割工序后,进行使用第2刀片来切削上述沟槽的底面直至上述基板贯通的全切割工序,上述第2刀片的宽度小于上述第1刀片的宽度。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |