具有垂直位线的可重编程非易失性存储器元件的三维阵列

摘要

本发明公开了三维阵列，其特别适合于响应于跨越存储器元件施加的电压差而可逆地改变电导水平的存储器元件。跨越位于半导体基板以上不同距离处的多个平面形成存储器元件。所有平面的存储器元件连接到的位线与基板垂直地取向并穿过多个平面。

主权项

一种数据存储器，包括按三维图案布置的存储器元件，并具有在z方向上堆叠的多个平行平面，该三维图案由具有正交的x、y和z方向的矩形坐标定义，该存储器还包括：多个第一导线，穿过该多个平面在z方向上延长，并按x和y方向上的二维矩形阵列布置，多个第二导线，跨越个别平面在x方向上延长，并在y方向上在个别平面中的多个第一导线之间间隔开并与所述多个第一导线分离，其中第一和第二导线跨越该个别平面在多个位置处彼此毗邻地交叉，多个非易失性可重编程存储器元件，与第一和第二导线在所述多个位置处的交叉点毗邻个别地连接在第一和第二导线之间，以及多个选择器件，被布置为将所述多个第一导线中的所选导线个别地连接到多个第三导线中的所选导线。