一种降低铜互连方块电阻的全光阻双大马士革方法

摘要

本发明提供一种降低铜互连方块电阻的全光阻双大马士革方法。在本发明选用的全光阻双大马士革工艺中，利用三次光刻刻蚀获得不同深度的金属沟槽及通孔，最终部分铜互连具有较厚的铜厚度，从而获得较低方块电阻的铜互连线。通过本发明提供的方法可以对铜互连线沟槽的深度进行选择性改变，从而使符合条件的特定区域的铜互连线方块电阻降低，从而实现选择性降低芯片互连方块电阻的目的。在不改变整体铜互连深度、不增大工艺难度、不缩小工艺窗口的前提下，最大程度的降低互联方块电阻，从而降低芯片的信号延迟，降低损耗，提高芯片整体性能。

主权项

一种降低铜互连方块电阻的全光阻双大马士革方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在下层金属互连结构层上先后淀积一刻蚀阻挡层、一SiOCH低k介电层和一SiO2介电保护层，在一SiO2介电保护层上旋涂第一光阻层，在第一光阻层上光刻形成通孔的图形，对通孔图形进行刻蚀，刻蚀至通孔中暴露出刻蚀阻挡层为止，去除第一光阻层，所述通孔图形位于下层金属互结构层中的互联结构上方；步骤2：在SiO2介电保护层表面和通孔内旋涂一底部抗反射层，在底部抗反射层上先后旋涂一低温氧化硅玻璃层和第二光阻层，并在第二光阻层上形成可全部金属导线槽的图形，对全部金属导线槽的图形进行刻蚀，刻蚀至SiOCH低k介电层中为止，除去第二光阻层、低温氧化硅玻璃层和底部抗反射层，所述全部金属导线槽中暴露有所述通孔： 步骤3：在SiO2介电保护层表面、通孔和全部金属导线槽的底面和侧壁上内旋涂第三光阻层，并在第三光阻层上形成可加厚金属导线的图形，对可加厚金属导线槽的图形进行刻蚀，刻蚀至SiOCH低k介电层中为止，去除第三光阻层，所述可加厚金属导线槽在全部金属导线槽中；步骤4：对通孔底部的刻蚀阻挡层进行刻蚀，使得通孔底部暴露出互联结构；步骤5：在SiO2介电保护层表面、通孔、全部金属导线槽和可加厚金属导线槽的底部和侧壁先后淀积金属阻挡层和铜籽晶层，所述金属阻挡层与互联结构相接触；步骤6：研磨去除SiO2介电保护层以及覆盖在其上的金属阻挡层和铜籽晶层。