发明名称 |
包括插件的半导体模块和用于生产包括插件的半导体模块的方法 |
摘要 |
本发明涉及包括插件的半导体模块和用于生产包括插件的半导体模块的方法。通过提供带有金属表面的基底和包括绝缘载体的绝缘衬底来制造功率半导体模块,该绝缘载体具有提供有底金属化层的底侧。提供呈现波浪结构的插件。该插件定位在绝缘载体和金属表面之间,在此之后,金属表面利用焊料被焊接到底侧金属化层和插件,从而用焊料填塞在金属表面和底侧金属化层之间的全部空隙。 |
申请公布号 |
CN102446880A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201110297372.1 |
申请日期 |
2011.09.30 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
R.拜耶雷尔;O.霍尔费尔德 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王岳;李家麟 |
主权项 |
一种半导体模块,包括:刚性基底;包括绝缘载体的绝缘衬底,所述绝缘载体具有提供有顶侧金属化层的顶侧和提供有底侧金属化层的底侧;被布置在所述顶侧金属化层上的功率半导体芯片;插件,所述插件被布置在所述基底和所述底侧金属化层之间并且包括带有多个波峰和多个波谷的波浪形状,所述波峰面向所述底侧金属化层而所述波谷面向所述基底;和被布置在所述底侧金属化层和所述基底之间的焊料,所述焊料完全地填充在所述底侧金属化层和所述基底之间的全部空隙。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |