多层金属-氧化物-金属电容的制作方法

摘要

本发明提供了一种多层金属-氧化物-金属(MOM)电容的制作方法。通过形成低k值介质和高k氧化硅的混合层，再利用传统工艺的光刻刻蚀在低k值介质中形成金属槽并填充金属，重复上述步骤形成多层金属-氧化物-金属电容，在高k值氧化硅区域实现了MOM电容结构，在其他区域实现了低k介质的互连，其中，高k氧化硅的形成采用PECVD沉积和含氧气体处理循环进行的方式，能有效去除氧化硅中的硅氢键。与传统的单一k值介质结构相比，本发明既能有效提高层内电容器的电容，又改善了MOM电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。

主权项

一种多层金属‑氧化物‑金属电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供衬底；步骤2，沉积低k值介质层；步骤3，通过光刻和刻蚀，在所述低k值介质层中形成贯穿所述低k值介质层的一开口；步骤4，通过等离子体增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式在所述开口中形成氧化硅；步骤5，在上述结构表面再次沉积低k值介质层；步骤6，通过光刻和刻蚀在低k值介质层中分别形成第一金属槽和第二金属槽，其中，第一金属槽位于氧化硅上方且第一金属槽的底部连通至氧化硅，第二金属槽用于后续形成互连；步骤7，在第一、第二金属槽内填充金属；重复步骤2～步骤7。