| 发明名称 | 离子源 | ||
| 摘要 | 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。 | ||
| 申请公布号 | CN102439683A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201080020420.6 | 申请日期 | 2010.04.22 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 卢多维克·葛特;史费特那·瑞都凡诺;提摩太·J·米勒 |
| 分类号 | H01J37/08(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01J27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种离子源，其特征在于，包括：电弧室，具有萃取孔隙；以及等离子体鞘调制器，被装配以控制边界的形状，所述边界位于等离子体与接近所述萃取孔隙的等离子体鞘之间。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 | ||