发明名称 |
一种衬底表面喷射裂解硒源的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种衬底表面喷射裂解硒源的方法,包括将硒蒸气进入高温裂解室,硒蒸气在高温裂解室内穿过孔径0.2-0.5mm均匀布满孔的两层多孔栅板,硒蒸气形成裂解硒源,所述裂解硒源喷射到衬底表面,完成在衬底表面喷射裂解硒源的过程。本发明采用将硒蒸气高温穿过两层多孔栅板,由Sen(n≥5)大原子团裂解为Sen(n<5)小原子团,增加了高活性Se2的数量,提高了硒元素的反应活性,有效改善了铜铟镓硒薄膜太阳电池CIGS层的成膜质量,对提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率起到积极作用;通过喷孔把小原子团的硒蒸气直接喷射到衬底表面,使硒材料充分参与CIGS层的反应成膜过程,从而提高硒材料利用率。 |
申请公布号 |
CN102433550A |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201110433136.8 |
申请日期 |
2011.12.21 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十八研究所 |
发明人 |
张颖武;赵彦民;乔在祥 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/22(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
李凤 |
主权项 |
一种衬底表面喷射裂解硒源的方法,包括将硒源蒸发室中的固态硒加热,产生硒蒸气,其特征在于:将所述硒蒸气进入温度500‑800℃的高温裂解室,硒蒸气在高温裂解室内穿过孔径0.2‑0.5mm均匀布满孔的两层多孔栅板,硒蒸气形成裂解硒源,所述裂解硒源通过温度大于400‑500℃的出气管道喷射到衬底表面,完成在衬底表面喷射裂解硒源的过程。 |
地址 |
300381 天津市南开区李七庄凌庄子道18号 |