发明名称 |
在应变薄膜上植入有冷和/或分子碳的升起式源极/漏极的形成方法 |
摘要 |
揭示一种用于增强半导体结构的通道区中的张应力的方法。所述方法包含执行一或多个冷碳或分子碳离子植入步骤,以在所述半导体结构内植入碳离子,从而在通道区的任一侧形成应力层。接着在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区,且使用随后的离子植入步骤来掺杂所述升起式源极/漏极区。毫秒退火步骤激活应变层及升起式源极/漏极区。应变层增强半导体结构的通道区内的载流子迁移率,同时所述升起式源极/漏极区使所述应变层中因随后掺杂剂离子在所述升起式源极/漏极区中的植入而导致的应变减至最小。 |
申请公布号 |
CN102439703A |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201080022218.7 |
申请日期 |
2010.04.23 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
克里斯多夫·R·汉特曼;海伦·L·梅纳德;迪帕克·瑞曼帕 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种用于形成具有升起式源极/漏极区的半导体装置的方法,包括:提供半导体结构,其包括具有通道区的硅基板;在所述半导体结构内形成应变层,所述应变层位于所述通道区的任一侧,所述应变层是藉由离子植入步骤而形成,所述离子植入步骤包括冷碳离子植入或分子碳离子植入;藉由在所述应变层中的每一个上沉积硅层,而在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区;掺杂所述升起式源极/漏极区;以及使所述半导体结构退火,以激活所述升起式源极/漏极区。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |