一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件及其制备方法

摘要

一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，为IDT/c-BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c-BN压电薄膜组成；其制备方法是：1）采用直流磁控溅射法在纳米CVD金刚石衬底表面沉积纳米Al膜；2）采用射频磁控溅射法在纳米Al膜表面沉积纳米立方氮化硼c-BN薄膜；3）在纳米立方氮化硼c-BN薄膜表面制备叉指换能器IDT。该声表面波器件可满足高频(4.8GHz以上)、高机电耦合系数、大功率(8w以上)、低传播损耗、低频率温度系数的声表面波(SAW)器件等领域的应用要求，且制备工艺简单、易于实施、利于推广。

主权项

一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，其特征在于：为IDT/c‑BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c‑BN压电薄膜组成。