一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法

摘要

本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，包括：对制绒清洗后的N型硅片进行旋涂硼源处理；在150-300℃的温度条件下，对前述所得硼源片进行烘干处理；在1000-1050℃的温度条件下，在氮氧混合气氛中对前述所得硼源片进行推进处理10-50min；将前述所得硼源片降温处理至850-900℃的温度条件时，进行氧化处理15-30min；继续将前述所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，进行保温处理10-20min。本发明所述N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，可以克服现有技术中方块电阻均匀性差与安全性差等缺陷，以实现方块电阻均匀性好、安全性好与操作方式简便的优点。

主权项

一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、对制绒清洗后的N型硅片进行旋涂硼源处理，得到硼源片；b、在150‑300℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理；c、在1000‑1050℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理10‑50min，其中，氮气流量为1‑5 L/min，氧气流量为1‑5 L/min；d、将步骤c所得硼源片降温处理至850‑900℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理15‑30min；其中，氧气流量为1‑5 L/min；e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至600‑700℃的温度条件时，进行保温处理10‑20min。