| 发明名称 | 一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法以及监控装置，该方法包括：检测进行了不同时间的预处理后的硅衬底的多个薄膜参数；根据所述多个薄膜参数建立统计过程控制曲线；设定预设有阈值的控制线；如果所述统计过程控制曲线的范围在所述阈值之内，则判定所述预处理正常；如果所述统计过程控制曲线的范围超出所述阈值，则判定所述预处理不正常。本发明可有效预防预处理工艺的失效，从而提高产品的可靠性与稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102437069A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110392783.9 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 顾梅梅;李建;张景春 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 李琳;张龙哺 |
| 主权项 | 一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法，包括：检测进行了不同时间的预处理后的硅衬底的多个薄膜参数；根据所述多个薄膜参数建立统计过程控制曲线；设定预设有阈值的控制线；如果所述统计过程控制曲线的范围在所述阈值之内，则判定所述预处理正常；如果所述统计过程控制曲线的范围超出所述阈值，则判定所述预处理不正常。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||