| 摘要 |
Halbleitervorrichtung mit dielektrischer Trennung, welche ein Substrat mit dielektrischer Trennung (2) aufweist, wobei das Substrat mit dielektrischer Trennung (2) aufweist: ein Stützsubstrat (3, 3B, 3C, 3D), eine eingebettete dielektrische Schicht (5), die auf der gesamten Fläche einer ersten Hauptebene des Stützsubstrates (3) ausgebildet ist, und ein Halbleitersubstrat (4, 4C, 4D) eines ersten Leitungstyps mit einer niedrigen Verunreinigungskonzentration, das auf das Stützsubstrat (3, 3B, 3C, 3D) über die eingebettete dielektrische Schicht (5) geschichtet ist, wobei das Halbleitersubstrat (4, 4C, 4D) aufweist: eine erste Halbleiterregion (8, 8C, 8D) eines ersten Leitungstyps mit einer hohen Verunreinigungskonzentration, die selektiv ausgebildet ist, eine zweite Halbleiterregion (10) eines zweiten Leitungstyps mit einer hohen Verunreinigungskonzentration, die dergestalt angeordnet ist, daß sie die erste Halbleiterregion (8, 8C, 8D) ausgehend von einem äußeren Umfangsrand derselben mit einem vorbestimmten Abstand umgibt, eine erste Hauptelektrode (12), die an eine Oberfläche der ersten Halbleiterregion... |
