高效外延化学气相沉积（CVD）反应器

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积反应器，其具有改善的化合物利用率和成本效益。本公开的晶片基座可以以堆叠结构用于同时加工多个晶片。本公开的反应器可为逆流耗尽型反应器，其具有均一的膜厚度以及高的化合物利用率。

主权项

一种用于将化合物沉积于晶片上的反应器，所述反应器包括：    第一端口；    连接到所述第一端口的第一挡板通道；    用于将所述晶片第一表面暴露于所述化合物的晶片插袋，所述晶片插袋连接到所述第一挡板通道；    连接到所述晶片插袋的第二挡板通道；以及    第二端口；    其中所述第一端口能够以供给模式或排气模式操作。