| 发明名称 | 一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法，属于银纳米晶体的制备技术，主要解决了现有技术中银纳米晶体制备方法复杂、设备要求高等问题。该在硅片表面制备银纳米晶体的方法，包括以下步骤：（1）在硅片表面制备含有醛基的物质的种子层；（2）利用硅片表面的种子层进行银镜反应；（3）将银镜反应后的硅片冲洗之后自然晾干，得到银纳米晶体。本发明不仅原理简单，操作方便，成本低廉，而且能快速地制备出不同形貌的银晶体结构，其形貌可控，具有很高的实用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN102425007A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN201110390457.4 | 申请日期 | 2011.12.01 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 陶斯禄;蒋一岚;周春 |
| 分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B7/14(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人 | 成实 |
| 主权项 | 一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅片表面制备含有醛基的物质的种子层；（2）利用硅片表面的种子层进行银镜反应；（3）将银镜反应后的硅片冲洗之后自然晾干，得到银纳米晶体。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||