激光加工方法和芯片

摘要

本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动，由此，沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后，在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。

主权项

一种激光加工方法，其特征在于，通过将聚焦点对准板状的加工对象物的内部照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线，在所述加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域，所述加工对象物具有一表面和与该一表面相对的另一表面，包括：从所述一表面入射激光，沿着所述切割预定线，形成在所述加工对象物的厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域的工序；在所述形成第1改质区域和第2改质区域的工序之后，从另一表面照射激光并透过所述第1改质区域或所述第2改质区域的任意一个所述区域，由此，沿着所述切割预定线，形成位于所述第1改质区域与所述第2改质区域之间的第3改质区域的工序。