| 发明名称 | 横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法，该探测器包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，两叉指注入区均包括间隔并排的多个叉指条型区和与各叉指条型区相连通的叉指连接区，p+叉指注入区与n+叉指注入区的叉指条型区间隔交叉设置，p+叉指注入区内设有p+叉指条和p+叉指连接部，n+叉指注入区内设有n+叉指条和n+叉指连接部，多层Ge量子点上设有SiO2薄膜，SiO2薄膜上开设有两电极引线孔，两电极引线孔内分别设有与p+叉指连接部、n+叉指连接部相接触的金属电极并向外引出。该探测器的光生载流子输运效率高，提高了探测器的光响应度。 | ||
| 申请公布号 | CN102427093A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN201110405583.2 | 申请日期 | 2011.12.08 |
| 申请人 | 福州大学 | 发明人 | 魏榕山;何明华 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器，其特征在于：包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，在所述多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，所述p+叉指注入区和n+叉指注入区均包括间隔并排的多个叉指条型区和设于叉指条型区一端且与所有叉指条型区相连通的叉指连接区，所述p+叉指注入区的叉指条型区与n+叉指注入区的叉指条型区间隔交叉设置，所述p+叉指注入区内注入有p+叉指条和p+叉指连接部，所述n+叉指注入区内注入有n+叉指条和n+叉指连接部，所述多层Ge量子点上设有一层SiO2薄膜，所述SiO2薄膜正对于p+叉指连接部和n+叉指连接部的位置上分别开设有一电极引线孔，所述两电极引线孔内分别设有与所述p+叉指连接部、n+叉指连接部相接触的金属电极并向外引出。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市铜盘路软件大道89号软件园A区31号楼五层 | ||