| 发明名称 | 一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：（1）Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；（2）V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；（3）预烧能增强粉体活性；（4）分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102424577A | 申请公布日期 | 2012.04.25 |
| 申请号 | CN201110278893.2 | 申请日期 | 2011.09.20 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | 发明人 | 王华;巨锦华;许积文;袁昌来;张小文 |
| 分类号 | C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/453(2006.01)I |
| 代理机构 | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人 | 巢雄辉 |
| 主权项 | 一种低压压敏电阻陶瓷材料，其特征在于：该压敏电阻陶瓷材料是在ZnO‑Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO‑Bi2O3基的摩尔比为0.05‑0.08︰0.80‑1.30︰98.62‑99.15。 | ||
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 | ||