氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法以及包括其的LED显示装置

摘要

本发明公开了一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED外延片及其生产方法以及包括其的LED显示装置，该LED外延片包括顺序生长的第一垒层、低掺杂In的高温量子阱层，以及高掺杂In的低温量子阱层，低掺杂In的高温量子阱层中包括高温阱层和高温垒层；高掺杂In的低温量子阱层包括预覆盖层、低温阱层以及低温垒层，预覆盖层包括预覆盖阱层和预覆盖垒层。该LED外延片通过形成预覆盖层，可诱导随后在预覆盖层上生长的量子阱更加容易形成量子点，所以阱里面量子点的数量增加，量子阱局域化程度更强，对电子束缚能力更强，增加了电子和空穴的复合概率，增加了外延片的内部量子效应，减少了大电流下发生DROOP效应。

主权项

一种氮化镓基III‑V族化合物半导体LED外延片，包括顺序生长的第一垒层(4)、低掺杂In的高温量子阱层(5)，以及高掺杂In的低温量子阱层(6)，所述高温量子阱层(5)中包括一组或多组按顺序循环生长的高温阱层和高温垒层；所述低温量子阱层(6)包括一组或多组按顺序循环生长的预覆盖层(61)、低温阱层(62)以及低温垒层(63)，其特征在于，所述预覆盖层(61)包括一组或多组按顺序循环生长的掺杂In的预覆盖阱层(611)和不掺杂In的预覆盖垒层(613)。