| 摘要 |
1. Плазменная система для осуществления усиленного плазмой химического осаждения из газовой фазы, включающая: ! вакуумную камеру, ! по меньшей мере два электрода, ! основу, и ! подвергаемое ионизации вещество, предназначенное для осаждения на по меньшей мере одну целевую поверхность основы, ! при этом основа включает трубчатую заготовку, имеющую два конца, где по меньшей мере один из двух концов представляет собой открытый конец, закрытый съемным концевым колпаком таким образом, что вакуумная камера ограничивается заготовкой и указанным колпаком, и при этом заготовка представляет собой один из электродов, а другой электрод вводят через концевой колпак в заготовку, и при этом по меньшей мере одна целевая поверхность основы представляет собой внутреннюю поверхность трубчатой заготовки. ! 2. Система по п.1, в которой по меньшей мере два электрода включают периферический электрод, образованный трубчатой заготовкой, и центральный электрод, образованный другим электродом. ! 3. Система по п.2, в которой центральный электрод включает трубчатый электрод, содержащий множество трубопроводов, соединенных с вакуумной камерой при помощи соединения для текучих сред. ! 4. Система по п.3, в которой множество трубопроводов трубчатого электрода включает по меньшей мере один трубопровод для газа для подачи в вакуумную камеру технологического газа, по меньшей мере один трубопровод для предшественника для подачи в вакуумную камеру материала предшественника и по меньшей мере один вакуумный трубопровод для создания в вакуумной камере вакуума. ! 5. Система по п.4, в которой трубопровод для газа, трубопровод для предшественника и ваку |
