发明名称 |
涂布有SiC的物体和制造涂布有SiC的物体的方法 |
摘要 |
本发明涉及涂布有SiC硬材料层或包含至少一个SiC硬材料层的层体系的物体,以及制造这类经涂布的物体的方法。本发明的目的在于,提供具有SiC层的物体,其具有不含颗粒、非多孔的结构、高硬度,低脆性、高附着强度、良好的抗氧化性能和抗裂缝生长性。根据本发明,利用SiC层或包含至少一个SiC层的多层涂布体系涂布所述物体,其中所述SiC层包含:含卤素的纳米晶体3C-SiC或由混合层,该混合层包含:含卤素的纳米晶体3C-SiC和非晶SiC或者含卤素的纳米晶体3C-SiC和非晶碳。所述物体的涂布在热CVD工艺中进行,其中使用气体混合物,该气体混合物包含H2和/或一种或更多种惰性气体,一种或更多种具有式SinX2n、SinX2n+2、SinXyHz的卤代聚硅烷,其中X是卤素且n≥2,以及一种或更多种烃。或者,根据本发明,在H2和/或一种或更多种惰性气体中使用气体混合物,该气体混合物包含:一种或更多种有机取代基R取代且通式为SinXyRz或SinHxXyRz的卤代聚硅烷,其中X是卤素且n≥2,z>0,y≥1。SinXyRz适用化学计量关系2n+2=y+z或2n=y+z,SinHxXyRz适用化学计量关系2n+2=x+y+z或2n=x+y+z。 |
申请公布号 |
CN102421937A |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
申请号 |
CN201080019554.6 |
申请日期 |
2010.03.17 |
申请人 |
斯伯恩特私人有限公司 |
发明人 |
因戈尔夫·恩德勒;曼迪·赫恩;托拉尔夫·格贝尔;克里斯蒂安·鲍赫;鲁门·德尔特切夫;斯文·赫尔;格尔德·利波尔德;贾瓦德·莫塞尼;诺贝特·奥纳 |
分类号 |
C23C16/32(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;董文国 |
主权项 |
一种涂布有SiC层或涂布有包含至少SiC硬材料层的多层涂布体系的物体,其中所述SiC层由含卤素的纳米晶体3C‑SiC或混合层组成,所述混合层由含卤素的纳米晶体3C‑SiC和非晶SiC组成或由含卤素的纳米晶体3C‑SiC和非晶碳组成。 |
地址 |
卢森堡卢森堡市 |