用于超厚顶层金属的双大马士革制造工艺

摘要

本发明公开了一种用于超厚顶层金属的双大马士革制造工艺，本发明解决了现有技术中无法在不增加工艺步骤、延长工艺周期的前提下达到控制通孔刻蚀高深宽比和通孔尺寸控制的问题，通过多次分别对介电层进行干法刻蚀，保证了每次刻蚀的质量，进而实现了通孔的高深宽比和通孔的尺寸的有效控制，并降低了生产的成本，缩短了生产的周期。

主权项

一种用于超厚顶层金属的双大马士革制造工艺，其特征在于，硅片上沉积有多层介电层，最底层的介电层与所述硅片之间以及任意两相邻的介电层之间均设有介电阻挡层，最顶层的介电层上沉淀有金属硬掩模；在所述金属硬掩模上旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；进行干法刻蚀，打开金属硬掩模，去除光阻；通过旋涂光刻胶，光刻形成通孔图形；通过多次干法刻蚀工艺，使通孔的底部穿过最底层的介电层与所述硅片之间的介电阻挡层，到达所述硅片，且形成的沟槽止于最底层的介电层；淀积金属阻挡层和铜籽晶层，将电镀铜填满通孔和沟槽；进行化学机械研磨平坦化，去除多余金属。