| 发明名称 | 一种刻蚀金属钼材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体(如ICP、TCP等)干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钼体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2.63微米每分钟，刻蚀结果侧壁的陡直度可达70°。基于本发明的方法，可利用金属钼衬底基片作为制备MEMS器件的主体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102417156A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110362349.6 | 申请日期 | 2011.11.15 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 陈兢;胡佳;张轶铭;陈书慧;李男男;罗进 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 李稚婷 |
| 主权项 | 一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后对金属钼材料进行高密度离子体干法刻蚀，其中，等离子体密度大于1012cm‑3。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||