半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。N型MIS晶体管NTr包括形成在半导体衬底（100）的第一活性区域（100a）上的第一栅极绝缘膜（105a）与形成在第一栅极绝缘膜上的第一栅电极（108a）；P型MIS晶体管PTr包括形成在半导体衬底的第二活性区域（100b）上且由与第一栅极绝缘膜不同的绝缘材料形成的第二栅极绝缘膜（103b）以及形成在第二栅极绝缘膜上的第二栅电极（108b）。第一栅电极和第二栅电极的上部区域在元件隔离区域上相互电连接，下部区域夹着由与第一栅极绝缘膜相同的绝缘材料形成的侧壁绝缘膜（105xy）而彼此分开。于是，在第一MIS晶体管和第二MIS晶体管中高精度地实现由不同的绝缘材料形成的栅极绝缘膜。

主权项

一种半导体装置，包括：第一金属绝缘体半导体晶体管和第二金属绝缘体半导体晶体管，其特征在于：所述第一金属绝缘体半导体晶体管包括：半导体衬底的被元件隔离区域包围的第一活性区域、形成在所述第一活性区域上的第一栅极绝缘膜、以及由形成在所述第一栅极绝缘膜上的第一金属膜和与所述第一金属膜上接触形成的第一硅膜构成的第一栅电极；所述第二金属绝缘体半导体晶体管包括：所述半导体衬底的被所述元件隔离区域包围的第二活性区域、形成在所述第二活性区域上且由与所述第一栅极绝缘膜不同的绝缘材料形成的第二栅极绝缘膜、以及由形成在所述第二栅极绝缘膜上的第二金属膜和与所述第二金属膜上接触形成的第二硅膜构成的第二栅电极；所述第二活性区域设置为：与所述第一活性区域在栅极宽度方向上相邻，且与该第一活性区域之间夹持有所述元件隔离区域，所述第一栅电极和所述第二栅电极在位于所述第一活性区域与所述第二活性区域之间的所述元件隔离区域上延伸，且所述第一硅膜和所述第二硅膜一体形成而相互电连接，所述第一金属膜和所述第二金属膜夹着由与所述第一栅极绝缘膜相同的绝缘材料形成的侧壁绝缘膜而彼此分开。