发明名称 | 一种掺钽氧化物半导体材料及其制备方法和应用 | ||
摘要 | 本发明公开了一种掺钽氧化物半导体材料,由氧化锌基材料和钽组成。该半导体材料由Ta2O5、Al2O3、In2O3以及ZnO四种原料通过共溅射或直接溅射的方法制备而成,其应用于制备薄膜晶体管。本发明的掺钽氧化物半导体材料具有电子迁移率较高,关态电流低,开关比高等特点;利用本发明的掺钽氧化物半导体材料作为沟道层的薄膜晶体管制备方法简单,温度低,成本低。值得的薄膜晶体管具有载流子关态电流低及开关比高等优点。 | ||
申请公布号 | CN102420289A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
申请号 | CN201110335489.4 | 申请日期 | 2011.10.28 |
申请人 | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 | 发明人 | 兰林锋;彭俊彪;王磊 |
分类号 | H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/30(2006.01)I |
代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 宫爱鹏 |
主权项 | 一种掺钽氧化物半导体材料,其特征在于,由氧化锌基材料和钽组成。 | ||
地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 |