具有双镶嵌结构的半导体器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种具有双镶嵌结构的半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；形成通孔开口；检测所述通孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度；在所述第一介质层上和所述通孔开口内形成第二介质层；在所述第二介质层上形成沟槽图形；形成沟槽；去除所述第二介质层；根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件；进行第三刻蚀，以去除所述通孔开口底部残留的所述第一介质层；形成双镶嵌结构。本发明还公开了相应的一种具有双镶嵌结构的半导体器件。本发明的具有双镶嵌结构的半导体器件及其形成方法，在无刻蚀停止层下形成了高质量的双镶嵌结构，有效降低了双镶嵌结构的k值。

主权项

一种具有双镶嵌结构的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀，以在所述第一介质层内形成通孔开口；检测所述通孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度；在所述第一介质层上和所述通孔开口内形成第二介质层；在所述第二介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第二刻蚀，以形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔开口；去除所述第二介质层；根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件，使第三刻蚀的刻蚀速率小于第一刻蚀的刻蚀速率；进行第三刻蚀，以去除所述通孔开口底部残留的所述第一介质层；在所述通孔开口和沟槽内填充铜金属，形成双镶嵌结构。