用保形氮化物形成耐用由上至下硅纳米线结构的方法和该结构

摘要

一种纳米线产品及其制造工艺，该纳米线产品包括：具有埋设氧化物(BOX)上层的晶片，在该BOX层中形成有阱，并且纳米线的端部位于BOX层上，以形成横跨在阱之上的梁。掩模涂层形成在BOX层的上表面上，在梁的中心部分之上保留未涂布窗口，并且还在梁中心部分的每个端部与阱的侧壁之间的梁中间端部周围形成掩模涂层。经由窗口施加氧，以减薄梁中心部分，同时使阱之上的线中间端部更厚且总体具有弧形形状。热氧化涂层可设置在线上，并且在氧化之前也设置在BOX层上的掩模上。

主权项

一种制造纳米线产品的方法，包括：提供具有埋设氧化物(BOX)上层(14)的晶片(12)，在该埋设氧化物层(14)中形成有阱(22)，该晶片(12)还具有纳米线(20)，该纳米线(20)的端部支撑在该埋设氧化物层(14)上，从而形成横跨在所述阱(22)上的梁；以及在该埋设氧化物层(14)的上表面上形成掩模(26)涂层，而在所述阱(22)之上的所述梁的中心部分(21)上保留未涂布窗口，并且也在所述梁中心部分(21)的每个端部与所述阱(22)的侧壁之间的梁中间端部周围形成掩模(26)涂层。