| 发明名称 | 包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括由氧化锌构成的所述氧化物半导体薄膜层(3)。至少一部分所述氧化物半导体薄膜层的(002)晶格面沿垂直于所述半导体器件的衬底(1)的方向具有择优取向，并且该(002)晶格面具有至少为<img file="b2007800012308a00011.GIF" wi="186" he="58" />的晶格间距d<sub>002</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN101356652B | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN200780001230.8 | 申请日期 | 2007.05.28 |
| 申请人 | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 平尾孝;平松孝浩;古田守;古田宽;松田时宜 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底(1)；由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层(3)，其形成在所述衬底上，并且至少一部分所述氧化物半导体薄膜层(3)包括如下的(002)晶格面，即沿垂直于所述衬底的方向具有择优取向并且其晶格间距d<sub>002</sub>至少为<img file="FSB00000619063000011.GIF" wi="173" he="52" />的(002)晶格面；以及由氧化锌构成的接触层(10)，将其形成为与所述氧化物半导体薄膜层接触，并且所述接触层(10)中的每一个的至少一部分包括如下的(002)晶格面，即沿所述垂直于所述衬底的方向具有择优取向并且其晶格间距d<sub>002</sub>小于所述氧化物半导体薄膜层的所述(002)晶格面的所述晶格间距d<sub>002</sub>的(002)晶格面。 | ||
| 地址 | 日本高知县 | ||