一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件及其制备方法

摘要

本发明提出了一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件及其制备方法，该VDMOS器件包括漏区、漂移区、JFET区、沟道区、源区、介质、栅极、隔离介质、源极金属和应变介质区。本发明的VDMOS器件通过在背面挖槽并嵌入应变膜，从而在VDMOS器件的整个电流通路中引入应力，使得电流传输路径上载流子迁移率均增加，从而能够降低VDMOS器件的导通电阻，同时避免了VDMOS器件中的闩锁效应。本发明的制备方法通过覆盖绝缘应变层的方法向半导体中引入应变，避免了采用外延技术所必须的高温过程，而且完全不需改变器件的表面结构，能够直接应用于已有的器件设计中。

主权项

一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件，其特征在于，包括：半导体材料，在所述半导体材料内形成有漏区、漂移区、JFET区、沟道区和源区；形成在所述半导体材料之上的栅介质、栅极、隔离介质和源极金属；在所述半导体材料内还形成有应变介质区，所述应变介质区与所述漏区、漂移区、JFET区、沟道区和源区均接触，所述应变介质区的材料的晶格与半导体材料的晶格不匹配，能够在半导体材料中引入应力。