| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法和系统，所述方法包括：由参照晶片获得关键尺寸均匀度分布的目标值；按照参照晶片的工艺菜单对晶片进行半导体加工工艺，并获得所述晶片的关键尺寸均匀度的分布值；计算所述晶片和参照晶片的关键尺寸均匀度分布的相关性因子；当相关性因子小于设定值时更新所述工艺菜单。相应的，本发明还提供一种半导体装置的制造系统。所述半导体装置的制造方法及系统，不必对每批不满足目标值要求的晶片、甚至每一不满足目标值要求的晶片都重新进行工艺菜单的更新，通过引入晶片的相关性因子监测，当经过半导体加工的晶片的相关性因子小于设定值时才更新工艺菜单，能够提高生产效率降低，有利于芯片制造的产能提升。 | ||
| 申请公布号 | CN101819917B | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN200910046900.9 | 申请日期 | 2009.02.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 覃柳莎;顾一鸣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G05B19/418(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：由参照晶片获得关键尺寸均匀度分布的目标值；按照所述参照晶片的工艺菜单对晶片进行半导体加工工艺，并获得所述晶片的关键尺寸均匀度的分布值；计算所述晶片和参照晶片的关键尺寸均匀度分布的相关性因子；当所述相关性因子小于设定值时更新所述工艺菜单。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||