从已熔化材料制造薄半导体本体的方法和装置

摘要

将压差施加到模具板两侧，并且在模具板上形成半导体(例如硅)晶圆。压差的松弛允许晶圆的释放。模具板可以比熔化物冷。热量几乎仅穿过形成的晶圆的厚度提取。液体和固体界面基本平行于模具板。固化体的温度横跨其宽度是基本统一的，导致低应力和低位错密度以及较高的结晶质量。模具板必须允许气体流动通过。熔化物能够通过以下方式引入到模具板：与熔化物的顶部全区域接触；以水平或竖直的方式或介于其间的方式来回在熔化物与模具板的部分区域接触来回移动；以及通过将模具板沾入到熔化物中。能够通过多种方式来控制晶粒尺寸。

主权项

一种制造半导体本体的方法，所述方法包括以下步骤：a.提供具有表面的熔化的半导体材料；b.提供包括成形表面的多孔模具；c.提供压差状态，使得所述成形表面的至少一部分处的压力小于在已熔化材料表面的压力；d.使所述成形表面与已熔化材料接触一段接触持续时间，使得对于接触持续时间的至少一部分：i.提供压差状态；以及ii.所述成形表面的至少一部分处于半导体材料的熔点以下的温度，使得半导体材料的本体在所述成形表面上固化；e.引起所述成形表面相对于熔化半导体材料的运动，其中固化的本体在所述成形表面上；以及f.减小压差状态的程度，从而促进固化本体自所述成形表面分离。